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【成果介绍】近日，公瘾南方科技大学程春教授团队和香港科技大学王宁教授团队发现，公瘾将高温稳定的惰性氧化物作为抑制层包裹住MoO3,可以有效地阻碍反应初期Mo的硫化与快速挥发过程，从而使得Mo蒸汽以一个较低的浓度缓慢、均匀地从抑制层释放到反应体系中，以制备出高质量、大尺寸的单层MoS2薄膜，而改变氧化物抑制层的用量则可以直接改变Mo:S比以实现对产物成分、尺寸以及层数的有效控制。左上角插图为对应反应残余物的光学图片，看完考左下角插图为对应的放大光学图片（标尺为20微米）。
公瘾(g)Mo蒸汽在不同用量的SnO2抑制层中的扩散示意图。通过对衬底上不同位置的样品进行观察与分析，看完考我们可以得到与MoS2生长相似的结论，看完考较高的Mo:Se比更有利于单层MoSe2的面内生长，而较低的Mo：Se则会促进多层MoSe2的生成。我们使用的氧化物抑制层（SnO2）就可以很好的完成这一任务，公瘾通过这一方法，我们可以成功制备出0.8×0.2cm大小的均匀MoS2单层薄膜。
通过对反应残余物的XRD和拉曼分析，看完考可以得出，SnO2并没有发生晶格变化也没有硫化锡或硫化亚锡生成。公瘾反应残余物的(e)XRD谱和(f)拉曼光谱。
本文发现，看完考改变SnO2的用量可以有效的影响反应的动力学条件（反应体系中的Mo:S蒸汽比），随着SnO2用量的增加，Mo:S比相应降低。
公瘾图2.(a)生长在氧化硅片上的厘米级MoS2单层薄膜的光学图片（标尺为1cm）以及(b-d)该衬底上不同位置的放大光学图片（标尺为100微米）。体外水凝胶和体内小鼠大脑研究表明，看完考经过缩小直径的针头移植后，超弹性2D和1D探针在注射后仍保持其结构完整性和构象。
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